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Intel reducirá las pérdidas eléctricas de Prescott con la tecnología de 65nm
Enviado el 09/09/04 a las 02:00 por noticias

Intel

Intel ha asegurado que reducirá drásticamente las pérdidas eléctricas en su tecnología de 65nm. Esto lo ha dicho durante la presentación de un dispositivo, creado con dicha tecnología, que contiene unos 500 millones de transistores.

Las pérdidas eléctricas han demostrado ser un gran problema para Intel tras cambiar de la tecnología de 130nm a la de 90: aunque los transistores de menor tamaño consumen menos energía, también ofrecen mayores facilidades para que la corriente se cuele por donde no debe, lo que obliga a los diseñadores a aumentar la potencia para que cada transistor trabaje en el punto óptimo. Esa es la razón de que un Pentium 40 fabricado con tecnología de 90nm consuma más que el de 130nm.

Sin embargo, según Intel, su tecnología de 65nm "reducirá en cuatro veces las pérdidas frente a los 90nm". ¿El secreto? El gigante de los chips usará silicio tensado. Por supuesto, ya usa esta tecnología con los 90nm, por lo que se trata de la "segunda generación", lo que permitirá aumentar el rendimiento de cada transistor en un 10-15 por ciento sin aumento de pérdidas.

La distancia entre los átomos de silicio de un chip viene dada por la propia red cristalina del silicio. Sin embargo, si se deposita una fina capa de silicio sobre un sustrato de otro cristal (generalmente un cristal de silicio-germanio) con una distancia entre átomos mayor, los átomos de la capa se ajustarán a dicha red, aumentando su distancia: esa capa se "tensa". La mayor distancia permite a la corriente fluir con más facilidad, lo que mejora las características de los transistores que se fabriquen sobre esa capa de silicio tensado. Además del silicio tensado también se usará un aislante de baja k, que también reducirá las pérdidas. Finalmente, se usarán interconexiones de cobre, distribuidas en ocho capas.

Todo esto sugiere que, efectivamente, los transistores de 65nm no sólo serán físicamente más pequeños que sus correspondientes de 90nm, sino que también consumirán menos energía y tendrán menores pérdidas.

Intel también ha explicado una técnica que desconecta la energía de conjuntos de transistores que no se estén usando en un momento determinado, lo que reduce todavía más el consumo de energía. Esto puede ser ventajoso en un dispositivo de memoria, pero aún habrá que ver si es aplicable a algo tan activo como un procesador.

Intel basa esta afirmación en su chip SRAM de 70Mbits fabricado con tecnología de 65nm. Este no es el primer chip que fabrica con dicha tecnología, pues en noviembre de 2003 presentó un chip SRAM de 4Mbits.

El gigante de los chips asegura que mantiene su calendario para la introducción de la tecnología de 65nm, aunque es poco probable que los primeros procesadores fabricados con ella aparezcan antes de finales de 2005.

Fuente: The Register (en inglés).


 
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