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Samsung cambiará su producción de DRAM a 90nm
Enviado el 15/08/04 a las 02:00 por noticias

Agalisa

Un informe publicado en DigiTimes sugiere que Samsung Electronics, el mayor fabricante de memorias del mundo, está comenzando a fabricar chips de memoria DDR2 mediante tecnología de 90nm.

Si ésto es cierto, Samsung sería la primera empresa en comenzar la transición hacia los 90nm. El informe sugiere que lanzaría en primer lugar chips de 512Mb a 400, 533 y 667MHz.

Los chips de memoria RAM de alta velocidad son más baratos de fabricar si se emplean tecnologías de menor tamaño. 90 y 100nm, y procesos más avanzados todavía, podrían conseguir producciones de memoria DDR2 a bajo precio, lo que permitiría acelerar la transición hacia DDR2. Otros fabricantes como Elpida e Hynix fabrican sus productos con tecnología de 0'10 micras (100nm).

Ya el 16 de julio de 2004, Samsung afirmó que estaba empezando a usar tecnología de 90nm para fabricar DRAM. Sin embargo, en ningún momento concretó que dicha tecnología fuese a ser usada para fabricar DDR2.

Fuente: X-bit labs (en inglés).


 
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