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OCZ Technology y DataSecure desarrollan una nueva tecnología DRAM
Enviado el 19/04/04 a las 02:00 por noticias

Agalisa

OCZ Technology Groyp y DataSecure LLC anunciaron que han desarrollado un nuevo diseño para crear memorias DRAM de latencia excepcionalmente baja y gran velocidad.

Posted Precharge es una de las nuevas características que ofrece una solución efectiva al limitado número de páginas abiertas de forma simultánea en la actual tecnología DRAM. Mediante unos pequeños cambios en el circuito, permite mantener abiertas las filas seleccionadas mientras se accede a varias páginas del mismo banco. Si ocurre entonces un segundo acceso al mismo banco, los datos estarán disponibles inmediatamente, al no haber la necesidad de volver a seleccionar la página. Mediante la integración de registros SRAM es posible reducir la latencia CAS hasta valores que permitan un acceso cuasi-isócrono en lectura.

"Posted Precharge es un concepto revolucionario que permite soslayar la contienda del bus (interno de la memoria) y permite abrir multiples páginas en el mismo banco" comentó G.R. Mohan Rao, uno de los fundadores de DataSecure LLC.

"Es especialmente en aplicaciones de tipo servidor con un alto porcentaje de accesos aleatorios y en sistemas con HyperThreading en donde Posted Precharge permitirá no sólo accesos recurrentes a la misma página manteniendo un excelente ancho de banda, sino también abrir la siguiente página en menos tiempo que el tiempo mínimo de ciclo de banco, lo que producía hasta ahora uno de los mayores problemas de rendimiento".

OCZ Technology no ha comentado todavía cuando estarán estas tecnologías disponibles al gran público.

Fuente: X-bit labs (en inglés).


 
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