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Novedades en memorias
Enviado el 12/03/04 a las 02:00 por noticias

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Samsung Electronics desarrolla un chip DRAM fabricado con tecnología de 70nm.

La memoria SDRAM DDR alcanza la marca de los 560MHz


Samsung Electronics desarrolla un chip DRAM fabricado con tecnología de 70nm.

El mayor fabricante y proveedor de chips de memoria DRAM, Samsung Electronics, ha desarrollado un proceso de fabricación de 70nm para la producción de chips de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), y que la tecnología ha sido verificada positivamente.

Samsung ha añadido que ha empleado electrodos metálicos como condensadores, en vez de condensadores de silicio, en el desarrollo de su tecnología de 70nm, según una agencia de noticias coreana.

En noviembre de 2003, Samsung Electronics presentó sus chips de memoria flash de 4Gb fabricados mediante tecnología de 80 y 70nm. El proceso de 70nm para fabricación de memoria DRAM es el más pequeño del mundo, y todavía está en proceso de patentado.

Samsung no ha indicado ninguna fecha para la comercialización de estos chips de 512 megabits.

Fuente: X-bit labs (en inglés).


La memoria SDRAM DDR alcanza la marca de los 560MHz

Un fabricante japones de memoria está vendiendo módulos de SDRAM DDR cuya velocidad supera la de los productos DDR y DDR-II más rápidos disponibles en el mercado hoy en día.

KuroutoShikou, una empresa de Tokio, ha presentado módulos de memoria a 560MHz, 10MHz más que los módulos más rápidos de Corsair. Estos nuevos módulos están basados en los chips HY5DU56822CT-D5 TSOP (Thin Small Outline Package) de Hynix, y tienen una capacidad de 512MB. Los módulos no incluyen ninguna clase de disipador de calor, algo bastante sorprendente.

Los anteriores módulos más rápidos (los XMS4400 de Corsair a 550MHz) están diseñados para trabajar con unos parámetros de 3-4-4-8 y a 2'75V. KuroutoShikou, por su parte, declara unos parámetros de 3-4-4 a 2'85V para sus módulos a 560MHz.

Fuente: X-bit labs (en inglés).


 
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