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Intel fabrica chips de nueva generación
Enviado el 29/11/03 a las 02:00 por Noticias

Intel

Intel afirma que ha fabricado chips con tecnología de 65 nanómetros, un claro signo de que la empresa seguirá en paz con la ley de Moore.

El fabricante de chips anunció que ha fabricado chips conteniendo celdas de memoria estática (SRAM, un tipo de memoria) con tecnología de 65 nanómetros, y que comenzará la fabricación en grandes cantidades con este sistema en 2005. Un nanómetro es una mil millonésima parte de un metro, y se refiere al tamaño medio de los elementos integrados en un chip. La mayoría de los procesadores del mercado están fabricados con tecnología de 130 nanómetros, y los fabricantes están ahora empezando a fabricar chips de 90 nanómetros.

Reducir el tamaño del chip mejora el rendimiento, disminuye los costes y puede reducir el consumo de energía. Dicho en pocas palabras: los electrones tienen que recorrer un camino menor a la hora de atravesar la puerta de un transistor para cambiar su estado. Este camino pasa de 50 a 35 nanómetros en un chip fabricado con esta tecnología de 65 nanómetros.

"Se pueden conseguir un aumento de entre un 40 y un 50 por ciento en velocidad de reloj sin necesidad de aplicar ninguna mejora extra en el diseño" ha dicho Mark Bohr, director de arquitectura de procesos de integración de Intel.

Además, la nueva tecnología permite integrar un mayor número de transistores en un mismo chip, lo que también permite aumentar el rendimiento. La ley de Moore, enunciada en los años 60, dicta que el número de transistores que se pueden integrar en una superficie determinada se duplica cada 18 meses. Aunque los fabricantes no suelen duplicar el número de transistores, sí lo aumentan sustancialmente, lo que permite conseguir mayores capacidades en un chip.

A la vez, los costes disminuyen gracias a que, al ser más pequeños, se pueden obtener más chips a partir de la misma oblea de 300 milímetros de diámetro. Las celdas experimentales de SRAM que Intel fabricó durante el desarrollo del proceso de 90 nanómetros medían 1 micra cuadrada, indicó Bohr. Por su parte, las celdas fabricadas con tecnología de 65 nanómetros tienen un tamaño de 0'57 micras cuadradas (las celdas SRAM suelen emplearse como vehículo de pruebas de los nuevos procesos de fabricación).

Los costes se reducirán aún más gracias a que Intel podrá reciclar cerca del 70 por ciento de su equipo actual para fabricación de chips de 90 nanómetros, incluyendo los sistemas de litografía que trazan los circuitos mediante luz con una longitud de onda de 193 nanómetros. El haz de luz es mucho mayor que los circuitos, pero puede emplearse para trazar lineas finas mediante atenuación y otras técnicas, ha dicho Bohr.

La ganancia en energía será más difícil de cuantificar. Aunque, técnicamente, el consumo debería reducirse al emplear procesos más refinados, hay que tener en cuenta que los fabricantes suelen aumentar el rendimiento de los chips fabricados con ellos, lo que aumenta la energía. Por otra parte, las pérdidas (la disipación no deseada de energía) junto con otros fenómenos, puede elevar también el consumo total. De hecho, las pérdidas aumentarán en los chips de 65 nanómetros, según Bohr, pero su impacto puede minimizarse mediante un diseño adecuado.

Para reducir el consumo de energía, los chips de 65 nanómetros emplearán silicio forzado ("strained silicon") junto con una capa dieléctrica de baja capacidad (low-k), los cuales, además de reducir el consumo, aumentarán la velocidad. Ambos están presentes en los chips de 90 nanómetros de Intel.

Bohr también indicó que los chips de 65 nanómetros no incluirán transistores de triple puerta o de puerta metálica, ni dieléctricos de alta capacidad (high-k). Estas tecnologías se emplearán en los chips de 45 nanómetros, que se lanzarán en 2007.

Los chips de 65 nanómetros tampoco emplearán la tecnología de IBM de silicio-sobre-aislante (silicon-on-insulator). "No hemos encontrado ningún aumento de rendimiento con la tecnología SOI", ha añadido Bohr.

Los avances en el proceso de fabricación son cada vez más difíciles de conseguir, según varios ingenieros y ejecutivos. Tanto Intel como AMD se han visto obligadas a retrasar el lanzamiento de los chips de 90 nanómetros, y muchas empresas tuvieron grandes problemas con el cambio a 130 nanómetros ocurrido en 2001. Pese a todo, afirma Bohr, Intel será capaz de hacer cumplir la ley de Moore durante otra década.

En septiembre, el presidente de Intel Paul Otellini anunció que la empresa había producido obleas con tecnología de 65 nanómetros (refiriéndose a los chips de los que hablaba Bohr en esta presentación), transistores con tecnología de 45 nanómetros, y transistores prototipo con tecnología de 32 y 22 nanómetros. Esto lleva a la empresa hasta el 2011.

Fuente: Internet news (en inglés).

Más información en: Intel Ibérica (en castellano).


 
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