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Intel desarrolla un transistor de bajas pérdidas
Enviado el 11/11/03 a las 02:00 por Noticias

Intel

Se espera poder emplearlo en las CPUs a partir del año 2007.

El óxido de silicio ha hecho su trabajo durante 30 años, pero está alcanzando rápidamente sus límites físicos. Sin embargo, Intel ha anunciado el descubrimiento de nuevos materiales que pueden permitir a los transistores funcionar mejor, por lo que los procesadores podrán seguir cumpliendo la ley de Moore en el futuro. Aunque la industria lleva tiempo intentando sustituir los materiales, Intel afirma ser la primera en soslayar los problemas técnicos que han impedido su implementación en la práctica.

El gran problema del silicio es debido a las pérdidas de corriente: a medida que se empaquetan más transistores en chips cada vez más pequeños (Intel tiene transistores cuya puerta mide 1'2 nanómetros, o cinco átomos de espesor) las corrientes de fuga aumentan, desperdiciando corriente y generando calor innecesario. Para mantener el flujo de electrones donde debe estar, la empresa ha encontrado un nuevo dieléctrico con un valor k muy elevado, lo que reduce las fugas a menos de la centésima parte.

Sin embargo, debido a que dicho dieléctrico es incompatible con las actuales puertas que activan y desactivan los transistores, los investigadores de Intel se han visto obligados a buscar un nuevo metal para dichas puertas que, a la vez, consiga un alto rendimiento. El fabricante de chips asegura haber conseguido transistores de alta calidad mediante la combinación de su dieléctrico y de puertas metálicas, y que podrá integrar los nuevos materiales en procesos de fabricación a gran escala económicos. Se espera que esta tecnología comience a aplicarse en el proceso de fabricación de 65 nanómetros, hacia el año 2007.

Fuente: CPU Planet (en inglés).


 
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