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Nuevos avances de Intel y AMD en transistores
Enviado el 15/06/03 a las 02:00 por Noticias

Agalisa

Intel y AMD han presentado sus novedades en la fabricación de transistores más rápidos y eficientes, que redundarán en la posibilidad de aumentar la velocidad de los procesadores y memorias.

En una conferencia tecnológica en Kyoto, Intel y AMD presentaron sus progresos en la fabricación de nuevos componentes más rápidos y con menor consumo, lo que ha añadido más fuego a la guerra entre ambas empresas.

Intel

Intel mostró su transistor de triple puerta, y afirmó que la fase de investigación ha finalizado y se está empezando la transición a la fase de desarrollo. También ha indicado que se espera que aparezca en el mercado en 2007, siendo fabricado con tecnología de 45 nanómetros.

Según afirmó Intel, cuando un transistor se reduce por debajo de los 30 nanómetros, el aumento de las pérdidas de corriente implica una mayor potencia para poder funcionar correctamente, lo que produce un exceso de calor a disipar. La solución presentada por Intel ha sido construir en vertical. El diseño del transistor recuerda a un sombrero de copa. Esta forma permite que la corriente fluya por los laterales, y así disponer de mucha mayor superficie que en los transistores planares actuales. La idea es similar a construir una autopista situando los distintos carriles uno encima de otro, en forma de pisos: se siguen disponiendo de varios carriles, pero la superficie de suelo ocupada es la de un único carril.

Intel también afirmó que sus investigadores desarrollaron con tecnología CMOS un oscilador de alta calidad de 5GHz, exactamente la frecuencia del estandar 802.11a. Esta señal de 5GHz se puede usar para generar una portadora de 2'4GHz, que es la frecuencia usada por el 802.11b y el 802.11g.

AMD

Por su parte, AMD dió nuevos detalles sobre su transistor de silicio sobre aislante con deplexión total (fully-depleted Silicon-on-Insulator FDSOI), tecnología que promete ofrecer transistores un 30% más rápidos que cualquier otro actual.

En vez de usar polisilicio, material usado en la mayoría de transistores, AMD ha indicado que usa un material llamado Nickel Silicide, para fabricar "puertas metálicas" dentro de los transistores. "Nickel Silicide, u otra tecnologia de puerta metálica, puede ser la llave para solucionar los problemas que implica la fabricación de transistores por debajo de 65nanómetros" ha comentado Craig Sander, vicepresidente de desarrollo tecnológico de AMD. "La tecnología de puerta metálica ofrece un método para reducir el grosor efectivo del óxido y suavizar los estrictos requisitos que implica la fuerte oxidación de puertas necesaria para transistores de alto rendimiento".

Los transistores SOI actuales se fabrican sobre una fina capa de silicio puro que se asienta sobre un sustrato de óxido aislante. La capa aislante se encarga de que la corriente eléctrica fluya sólo a través de la fina capa de silicio, y que no hay pérdidas a través del material que forma la oblea en sí.

AMD afirma que el pequeño grosor de la capa de silicio mejora el rendimiento del transistor, pues minimiza varias características eléctricas no deseables que pueden impedir que el transistor funcione correctamente.

Fuente: InternetNews (en inglés).


 
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