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AMD desarrolla un supertransistor
Enviado el 09/04/03 a las 02:00 por Noticias

AMD

El nuevo diseño ofrece un aumento de velocidad del 30%.

Los ingenieros de AMD han creado y probado un transistor de alto rendimiento capaz de conmutar un 30% más rápido que el mejor transistor PMOS (Metal-Oxide Semiconductor de canal P) actual. El transistor emplea tecnología propia de AMD, incluyendo la que se conoce como Fully Depleted Silicon-on-Insulator. Estos transistores presentan otras importantes ventajas, como por ejemplo, menores pérdidas en la puerta, y capacidad de funcionar con voltajes aún menores que los actuales.

En otras investigaciones relacionadas, los ingenieros de AMD también han conseguido ser los primeros de la industria en mostrar un transistor de silicio forzado ("strained silicon transistor") capaz de ofrecer un rendimiento entre un 20 y un 25% mayor que los convencionales, mediante el uso de puertas de metal.

Una consecuencia importante es que el uso de estos transistores en los procesadores de AMD pueden permitir aumentar su velocidad de reloj, lo que, unido al mayor rendimiento por GHz de los procesadores de AMD, podría resultar en un cambio importante en el mercado de los procesadores.

AMD presentará estos dos diseños en el Simposio VLSI de Kyoto (Japón), el 11 y 12 de Junio.

Fuente: Geek.com (en inglés).

Más información en: Nota de prensa de AMD (en inglés).

Más información en: VLSI Symposium (en inglés).


 
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