Infineon termina las pruebas de su memoria de nueva generación
Fecha 25/08/04 a las 02:00
Tema Agalisa


Infineon Technologies ha anunciado esta semana la finalización de las pruebas de su chip buffer, destinado a los DIMMs "fully-buffered", cuando éstos estén disponibles en el mercado.

El buffer de memoria avanzado de Infineon (AMB) es la primera implementación existente de las etapas de entrada/salida de alta velocidad junto con otras funciones como inserción de datos y seguimiento de datos. El estándar FB-DIMM pretende conseguir un factor de multiplexación de seis o más para reducir el ancho físico del bus de memoria y para reducir la latencia de salida. El estándar del JEDEC define una tasa obligatoria máxima de 4'8Gb/s por cada pin de E/S en el caso de un chip DDR2 a 800MHz. El chip de Infineon trabaja actualmente a 6Gb/s, ofreciendo un sustancial margen y garantizando bajas tasas de error.

FB-DIMM es un nuevo estándar que define una tecnología de interconexión para memoria. FB-DIMM inicia la transición del bus de memoria hacia una interfaz serie y sustituye los registros de los DIMMs por un buffer de memoria. Se pretende que la conexión FB-DIMM permita aumentar el número de canales de memoria disponibles en un servidor. Se espera que las primeras implementaciones de memoria DDR-II con FB-DIMM aparezcan en los futuros chipsets de Intel, tales como Glenwood y Lakeport.

"Esta nueva tecnología, con su especificación estandarizada por el JEDEC, ofrece una excelente oportunidad de aumentar simultáneamente tanto la velocidad de los DIMMs como la capacidad de la memoria de los servidores. FB-DIMM también ofrecerá una transición suave desde DDR2 hacia DDR3." ha comentado Tom Macdonald, vicepresidente de la división de chipsets avanzados de Intel.

Se espera que las primeras muestras de memoria DDR2 con FB-DIMM estén disponibles a partir del cuarto trimestre de 2004, y su presentación en el mercado está prevista para la segunda mitad de 2005, según ha indicado Infineon.

Fuente: X-bit labs (en inglés).





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